BR254
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BR-25 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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DS10BR254TSQ/NOPB
Texas Instruments
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、最大输出电压 450 mV、数据速率 1500 Mb/s、类型 LVDS，采用 WQFN-40 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > LVDS Interface ICDS10BR254TSQX/NOPB
Texas Instruments
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、数据速率 1500 Mb/s、输入类型 LVDS, LVPECL, CML、输出类型 LVDS，采用 WQFN-40 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > LVDS Interface ICMBR2545CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 25 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 820 mV，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2545CT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 25 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2545CT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 25 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 650 mV、反向电流（Ir） 200 uA，采用 TO-220AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2545CT-E3/45
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Barrier Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2545CT-Y
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2545CT-Y C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 25 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 0.82 V、正向浪涌电流（Ifsm） 200 A，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2545CTG
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 TO-220-3 封装。
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