原型号
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onsemi
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- BR25160-10TU-1.8Rohm Semiconductor相似型号
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芯片技术资料
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BR251
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BR-25 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR2510
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BR-25 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR2510-G
Comchip Technology
Bridge Rectifiers DIODE RECT BRIDGE 20A 1000V
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR2510W
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 BR-25W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR25160-10TU-1.8
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI。
半导体 > Memory ICs > EEPROMBR25160-10TU-2.7
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2.1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI。
半导体 > Memory ICs > EEPROMBR25160N-10SU-1.8
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI。
半导体 > Memory ICs > EEPROMBR25160N-10SU-2.7
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2.1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMBR25100CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR25100CT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 25 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers