BR108
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。
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BR108
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 BR-10 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR108-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 PB-6-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBR1080-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 80 V、正向电压（Vf） 840 mV、反向电流（Ir） 100 uA，采用 TO-220AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1080F-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 80 V、正向电压（Vf） 850 mV。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1080G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 80 V，采用 TO-220-2 封装。
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