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原厂资料

21 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SBR10100CTB-13-GDiodes Incorporated
  • SBR10100CTB-13
2026-05-05查看资料
SBR10100CTBDiodes Incorporated
  • SBR10100CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR10100CTL-13-2084Diodes Incorporated
  • SBR10100CTL-13
2023-05-15查看资料
SBR10150CTFPDiodes Incorporated
  • SBR10150CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR10150CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR10150CTFP-G
2021-05-24查看资料
MBR10100CD-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CDTR-E1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CDTR-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CS2-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10100CT
2019-02-05查看资料
MBR10100CS2TR-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10100CT
2019-02-05查看资料
MBR10100CT-E1Diodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CTF-E1Diodes Incorporated
  • MBR10100CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CTLDiodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10150CT-E1Diodes Incorporated
  • MBR10150CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10150CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10150CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10150CTF-E1Diodes Incorporated
  • MBR10150CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBR10150CTLDiodes Incorporated
  • MBR10150CT-G1
2019-02-05查看资料
MBRF10150CT-JTDiodes Incorporated
  • MBR10150CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBRF10150CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10150CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBRF20150CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10150CTF-G1
2019-02-05查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

DS25BR100TSDX/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DS25BR101TSDE/NOPBTexas Instruments参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

76 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BR101

Rectron

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 BR-10 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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BR101

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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BR101-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 PB-6-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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BR1010

Rectron

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 BR-10 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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BR1010

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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BR1010-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 PB-6-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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BR1010-G

Comchip Technology

主要参数包括端接方式 通孔安装、长度 19.6 mm、宽度 19.6 mm、高度 7.5 mm，采用 BR8-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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BR1010SG-G

Comchip Technology

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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DS25BR101TSD/NOPB

Texas Instruments

该型号为接口集成电路，主要参数包括输入／输出数 /、工作电源电压 3.3 V、数据速率 3.125 Gb/s、输入类型 LVDS, LVPECL, CML、输出类型 LVDS、驱动器数 1 Driver，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > LVDS Interface IC
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DS25BR101TSDE/NOPB

Texas Instruments

该型号为接口集成电路，主要参数包括输入／输出数 /、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、数据速率 3.125 Gb/s、类型 LVDS，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > LVDS Interface IC
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