BLV31
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 224 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 15,采用 SOT-122A 封装。
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Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 224 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 15,采用 SOT-122A 封装。
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