BFU590QX
NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN,采用 SOT89-3 封装。
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NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN,采用 SOT89-3 封装。
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