BFP196WNH6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 7.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 70、最大集电极-发射极电压(VCEO) 12 V,采用 SOT-343-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar Transistors技术资料参考
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该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 7.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 70、最大集电极-发射极电压(VCEO) 12 V,采用 SOT-343-4 封装。
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