BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 80 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.25 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.9 V，采用 SOT-343-4 封装。
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