BD911
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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BD9110NV-E2
ROHM Semiconductor
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 1～2.5 V、输出电流 2 A、开关频率 1 MHz、类型 Step-Up DC/DC Converter、输出数 1 Output、拓扑结构 Boost，采用 SON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsBD9111NV-E2
ROHM Semiconductor
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 3.25 V、输出电流 2 A、开关频率 1 MHz、类型 Voltage Converter、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 5.5 V，采用 SON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators