BD140
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-32-3 封装。
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BD140-16
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 SOT-32-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBD14000EFV-CE2
ROHM Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 8～24 V、输出电压 4.3 V、输出电流 10 mA、类型 Cell Balance LSI、产品 Charge Management、工作电源电流 40 uA，采用 HTSSOP-B-30 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementBD14000EFV-CH2
ROHM Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 8～24 V、输出电压 4.3 V、输出电流 10 mA、产品 Charge Management、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 HTSSOP-B30 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementBD14010STU
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-126-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBD14016S
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-126-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBD14016STU
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-126-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBD140G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-225-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBD140G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-225-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBD1401
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括类型 Small Signal Switching Diode、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 50 ns，采用 SOT-23 封装。
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