BCY79
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。
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BCY79 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCY79 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCY79-IX
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCY79-IX PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCY79-IX TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCY79-VII
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCY79-VIII
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCY79-X
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCY79-X PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT