BCX5316-13R
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-89-3 封装。
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BCX5316H6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCX5316H6433XTMA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 53-16 BCX H6433 SP001125462，采用 SOT-89-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCX5316QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCX5316TA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-89-3 封装。
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