BCW61CT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 32 V、增益带宽积(fT) 180 MHz、最大直流电流增益(hFE) 460、高度 0.95 mm,采用 SOT-23-3 封装。
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ROHM Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 32 V、增益带宽积(fT) 180 MHz、最大直流电流增益(hFE) 460、高度 0.95 mm,采用 SOT-23-3 封装。
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