BCP69
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。
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BCP69,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP69,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP69-16,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP69-16-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 0 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 SC-73-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP69-16-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.004092 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP69-16F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP69-25,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP69-25,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP69-25-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664899135。
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