BCP56MTWG
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 WDFNW-3 封装。
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NSVBCP56MTWG
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该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。
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