BCP5316TA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 80 V、集电极-基极电压(VCBO) - 100 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.5 V,采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| DCP51-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP51-16-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP52-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP52-16-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP53-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP53-16-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |