ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

技术资料参考

芯片技术资料

9 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BC860B

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料

BC860B,215

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料

BC860B,235

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料

BC860B-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934669323215。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料

BC860BE6327HTSA1

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料

BC860BW,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料

BC860BW,135

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料

BC860BW-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934669331115。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料

BC860BWH6327XTSA1

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

查看技术资料