BC858B
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。
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BC858B
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858B
Rectron
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858B RF
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858B RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858B TR
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858B TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858B,215
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858B,235
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858B-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 650 mV，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT