BAS4006E6327HTSA1
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 120 mA、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 0.2 A、配置 Dual Common Anode，采用 SOT-23-3 封装。
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原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BAS40-06-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-06T-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-06-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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BAS4006WH6327XT
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 120 mA、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 0.2 A、配置 Dual Common Anode，采用 SOT-323-3 封装。
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