BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括单件重量 0.000473 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BAS21TMR6T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 250 V、最大浪涌电流 625 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Triple、恢复时间 50 ns，采用 SC-74-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesNSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000473 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingNSVBAS21TMR6T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 250 V、最大浪涌电流 625 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Triple、恢复时间 50 ns，采用 SC-74-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes