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原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BAS19onsemi
  • BAS19LT1G
2019-04-12查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

3 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BAS19LT1G

ON Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 120 V、最大浪涌电流 0.625 A、正向电流(If) 200 mA、配置 Single,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS19LT1G

onsemi

该型号为二极管,主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 120 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流(If) 200 mA、配置 Single、恢复时间 50 ns,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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NSVBAS19LT1G

ON Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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