BAS116LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BAS116LT3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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BAS116LT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesSBAS116LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-23-3 封装。
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