BAS116
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。
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BAS116 RF
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 3 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116 RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Rectifiers、单件重量 0.000282 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116,215
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、产品 Switching Diodes、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116,235
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、产品 Switching Diodes、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 225 mA、配置 Single、恢复时间 3 us。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、产品 General Purpose Diodes、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116-QR
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 0.8 us、正向电压（Vf） 1.1 V、反向电流（Ir） 3 pA，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116DY-QX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 1.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual、恢复时间 0.8 us，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes