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芯片技术资料

3 条型号记录

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B40D

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 80 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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SIRB40DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 40 A,采用 PowerPAK-SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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SIRB40DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 40 A,采用 PowerPAK-SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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