AUIRF8736M2TR
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 137 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.3 mOhms、栅极电荷（Qg） 17 nC，采用 DirectFET-M4 封装。
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