APTGT150DU120TG
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 220 A，采用 SP4 封装。
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APTGT150DU120TG
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 220 A，采用 SP4 封装。
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