APT77N60BC6
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 77 A、漏源导通电阻（Rds On） 37 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 3 V，采用 TO-247-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| APT77N60JC3 | Microchip |
| 2024-08-12 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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APT77N60BC6
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 77 A、漏源导通电阻（Rds On） 37 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
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