APT58M50J
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 MOSFET、栅源电压（Vgs） - 30 V, + 30 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 菲律宾。
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芯片技术资料
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APT58M50JCU2
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesAPT58M50JU2
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesAPT58M50JU2
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 1.836373 oz。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAPT58M50JU3
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件，主要参数包括通道数 1 个通道、产品 Power MOSFET Modules、栅源电压（Vgs） 30 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesAPT58M50JU3
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 58 A、漏源导通电阻（Rds On） 65 mOhms，采用 SOT-227-4 封装。
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