APT50M85JVFRMicrochip Technology主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 50 A、漏源导通电阻(Rds On) 85 mOhms、栅源电压(Vgs) - 30 V, + 30 V,采用 SOT-227-4 封装。半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules查看技术资料