APT50M50JVRMicrochip Technology主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 77 A、漏源导通电阻(Rds On) 50 mOhms。半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules查看技术资料