APT48M80L
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 49 A、漏源导通电阻（Rds On） 190 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 TO-247-3 封装。
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APT48M80L
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 49 A、漏源导通电阻（Rds On） 190 mOhms、栅源电压（Vgs） - 30 V, 30 V，采用 TO-247-3 封装。
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