APT40GLQ120JCU2
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 2.05 V、25°C 时连续集电极电流 80 A,采用 ISOTOP-4 封装。
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Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 2.05 V、25°C 时连续集电极电流 80 A,采用 ISOTOP-4 封装。
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