APT35GN120L2DQ2G
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、最大栅射电压 30 V，采用 TO-264MAX-3 封装。
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APT35GN120L2DQ2G
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、最大栅射电压 - 30 V, 30 V、25°C 时连续集电极电流 94 A，采用 TO-264MAX-3 封装。
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