APT100GN60LDQ4G
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、最大栅射电压 30 V，采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
APT100GN60LDQ4G
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.45 V、最大栅射电压 - 30 V, 30 V、25°C 时连续集电极电流 229 A，采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs