AL7
MACOM
RF Amplifier 20-550MHz NF5.0dB VSWR: 1.1:1
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技术资料参考
芯片技术资料
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BAL74,215
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAL74-QR
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、反向电流（Ir） 100 nA、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 4.5 A、正向电流（If） 250 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingCAL7
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFDB016N04AL7
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 160 A，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDB024N04AL7
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 219 A，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMT29F32G08CBACAL73A3WC1P
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashMT29F64G08CBAAAL74A3WC1P-V
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 G x 8、数据总线宽度 8 位。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > NAND FlashNFAL7565L4B
ON Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 20 V、输出电流 75 A、类型 Smart Power Module、产品 Fan / Motor Controllers / Drivers、工作电源电流 5 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 DIP-30 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers