AT25010B-MAPD-T
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM搜索结果
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芯片技术资料
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AT25020B-MAPD-T
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMAT25040B-MAPD-T
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMAT25080B-MAPDGV-T
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > EEPROMAT25128B-MAPDGV-T
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMAT25256B-MAPDGV-T
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMATA6571-GNQW1-VAO
Microchip Technology
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 4.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、接口类型 CAN、类型 High Speed CAN FD Transceiver、隔离类型 Non-Isolated，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > Interface ICs > CAN Interface ICMCP2518FDT-E/QBB
Microchip Technology
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 CAN, GPIO, SPI、数据速率 2 Mb/s、类型 CAN FD Controller，采用 VDFN-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICMCP2518FDT-E/SL
Microchip Technology
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 CAN, GPIO, SPI、数据速率 2 Mb/s、类型 CAN FD Controller，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICXD6131B461MR-Q
Torex Semiconductor
主要参数包括电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 1.5 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Open Drain、阈值电压 4.6 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-26 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits