AD8361ARMZ
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、频率范围 100~2500 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围(dB) 30 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| AD8361ARM | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| AD8361ARM-REEL7 | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、频率范围 100~2500 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围(dB) 30 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorAnalog Devices
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、频率范围 2500 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.85 mm、长度 3 mm,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorAnalog Devices
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、频率范围 100~2500 MHz、类型 RMS Power Detector、动态范围(dB) 30 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C,采用 MSOP-8 封装。
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