ABS20M
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。
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ABS20M
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS20M REG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 110 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS20M RGG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 2A,1000V,GLASS PASSIVATED, THIN MINI BRIDGE RECT.
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS20M-13
Diodes Incorporated
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV，采用 SOPA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS20M-T
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS20M-T REG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS20MH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS20MH-13
Diodes Incorporated
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV，采用 SOPA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS20MHREG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 110 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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