ABS10
Taiwan Semiconductor
主要参数包括单件重量 0.004233 oz，采用 ABS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
ABS10
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10 REG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10 RGG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 ABS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10-16
Diotec Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10-G
Comchip Technology
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10-HF
Comchip Technology
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10-K REG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10-T
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers