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技术资料参考

芯片技术资料

8 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET、型号别名 SIA813DJ-GE3、单件重量 0.000988 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

STMicroelectronics

RF Receiver Teseo V industrial triple-band multi-constellation GNSS precise engine receiver

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver

STMicroelectronics

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区马来西亚、湿敏性是。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver

STMicroelectronics

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区马来西亚、湿敏性是。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver

STMicroelectronics

主要参数包括电源电压（最大值） 1.32 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 I2C, UART、工作频率 2.3～3.3 GHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-160 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

onsemi

主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers