2SA812-M6-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 STO23-3 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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2SA812-M7-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKSA812YMTF
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSURA8120T3G
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 40 A，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTPCA8120,L1Q
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsTPCA8120,LQ(CM
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-Advance-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTPCA8128,LQ(CM
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOP Advance-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETUGA8120 C0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1200 V、正向电流（If） 8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 2.8 V、最大浪涌电流 80 A，采用 TO-220AC-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUGA8120HC0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1200 V、正向电流（If） 8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 2.8 V、最大浪涌电流 80 A，采用 TO-220AC-3 封装。
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