SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 PowerPAK-SC70-6 封装。
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SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 PowerPAK-SC70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSURA8110T3G
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA 封装。
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