原型号
查看详情 · 1 条候选A8513KLYTR-3-T
Allegro MicroSystems
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- A80603KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
8 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VS-80RIA80PBF | Vishay |
| 2025-11-04 | 查看资料 |
| VS-81RIA80PBF | Vishay |
| 2025-11-04 | 查看资料 |
| GSIB6A80-E3/45 | Vishay |
| 2021-04-26 | 查看资料 |
| GSIB6A80N-M3/45 | Vishay |
| 2021-04-26 | 查看资料 |
| FSA8500UCX | onsemi |
| 2020-04-01 | 查看资料 |
| FSA805UMX | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| TDA8020HL/C2,151 | NXP |
| 查看资料 | |
| TDA8024T/C1,518 | NXP |
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选IDT71V3557SA80BQI
Renesas Electronics Corporation
- 71V3556SA100BQIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 5 条候选IDT71V3577SA80BQGI
Renesas Electronics Corporation
- 71V35761SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选PEX8614-BA50BC G
Broadcom Limited
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- PEX8713-CA80BC GBroadcom Limited第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 4 条候选S-1011E80-M6T1U4
ABLIC Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S-1011A80-M6T1U4ABLIC Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 7 条候选SPC5644AF0MVZ3
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- SPC564A80B4CFARSTMicroelectronics相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选SPC564A80B4COBY
STMicroelectronics
- SPC5644AF0MVZ2NXP USA Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 5 条候选TA4808BF(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- BA80BC0FP-E2Rohm Semiconductor直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选TDA8029HL/C207,118
NXP USA Inc.
- PN7412AUHN/C300YNXP USA Inc.相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选TDA8029HL/C207,151
NXP USA Inc.
- PN7412AUHN/C300ENXP USA Inc.相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A80
MACOM
RF Amplifier 20-500MHz NF 2.3dB Gain 29.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierA80-1
MACOM
RF Amplifier 10-200MHz NF 2.0dB Gain 27.3dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier6A80G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers、单件重量 0.074075 oz，采用 R-6-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers6A80G A0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 80 V、正向电流（If） 6 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 R-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers6A80G R0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 6 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 R-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers6A80G R0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers6A80GHA0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 80 V、正向电流（If） 6 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 R-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers6A80GHR0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers6A80GHR0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers7201LA80DB
IDT
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位，采用 CDIP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > FIFO