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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
ATMEGA64-16AUA2Microchip
  • ATMEGA64-16AU
2023-05-16查看资料
ATMEGA64L-8AQRA1Microchip
  • ATMEGA64L-8AQR
2023-05-16查看资料
ATMEGA64L-8AUA4Microchip
  • ATMEGA64L-8AU
2023-05-16查看资料
NL3S644BFCTAGonsemi
  • FSA644BUCX
2019-04-17查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

80 个原型号
原型号

24AA64FT-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 17 条候选
  • 24AA64F-I/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24AA64X-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选
  • 24AA64XT-I/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24AA64X/ST

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选
  • 24AA64XT/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24LC64T-I/MC

Microchip Technology

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64T-I/MCMicrochip Technology相似型号
原型号

25AA640A-E/MS

Microchip Technology

查看详情 · 4 条候选
  • BR25S640FVJ-WE2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

AT24C32CN-SH-T

Microchip Technology

查看详情 · 21 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64-I/SMMicrochip Technology相似型号
原型号

AT24C64-10PC-2.7

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64/PMicrochip Technology直接替代候选
原型号

AT24C64-10PI-2.5

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64F-I/PMicrochip Technology直接替代候选
原型号

AT24C64AN-10SI-1.8-T

Microchip Technology

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64F-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

AT24C64C-TH-B

Microchip Technology

查看详情 · 24 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64F-I/STMicrochip Technology直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

719 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A64

MACOM

RF Amplifier 10-1200MHz NF 3.0dB Gain 26.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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15KPA64A

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 78.3 V、工作电压 64 V、钳位电压 104.2 V、峰值脉冲电流（Ipp） 144.9 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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15KPA64CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 78.3 V、工作电压 64 V、钳位电压 104.2 V、峰值脉冲电流（Ipp） 144.9 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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23A640-I/P

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A640-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A640-I/ST

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A640T-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A640T-I/ST

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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24AA64-E/MS

Microchip Technology

主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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24AA64-E/P

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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