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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
ATMEGA64-16AUA2Microchip
  • ATMEGA64-16AU
2023-05-16查看资料
ATMEGA64L-8AQRA1Microchip
  • ATMEGA64L-8AQR
2023-05-16查看资料
ATMEGA64L-8AUA4Microchip
  • ATMEGA64L-8AU
2023-05-16查看资料
NL3S644BFCTAGonsemi
  • FSA644BUCX
2019-04-17查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

80 个原型号
原型号

XC6123A648ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A648ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6123C641ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A641ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6123C646ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A646ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6123D643ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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原型号

XC6123D648ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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原型号

XC6123E643MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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原型号

XC6123E648MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A648MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6123F643ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A643ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
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XC6123F648ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A648ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
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XC6124A642MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6123A642MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

719 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A64

MACOM

RF Amplifier 10-1200MHz NF 3.0dB Gain 26.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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15KPA64A

Littelfuse

该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 78.3 V、工作电压 64 V、钳位电压 104.2 V、峰值脉冲电流(Ipp) 144.9 A,采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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15KPA64CA

Littelfuse

该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 78.3 V、工作电压 64 V、钳位电压 104.2 V、峰值脉冲电流(Ipp) 144.9 A,采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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23A640-I/P

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR,采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A640-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A640-I/ST

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR,采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A640T-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A640T-I/ST

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR,采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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24AA64-E/MS

Microchip Technology

主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.004938 oz,采用 MSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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24AA64-E/P

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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