原型号
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STMicroelectronics
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- 24AA64FT-I/MNYMicrochip Technology相似型号
搜索结果
第三方参考
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原型号
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STMicroelectronics
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- 24AA64-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选N64S818HAS21I
onsemi
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- 23A640-I/SNMicrochip Technology相似型号
原型号
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onsemi
- NCV8177BMX120TCG-A642onsemi参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选NL3HS644BFCTAG
onsemi
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- FSA644BUCXonsemi直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选NV24C64DWVLT3G
onsemi
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- 24AA64/SNMicrochip Technology相似型号
原型号
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NXP USA Inc.
- S9S12GA64AMLFNXP USA Inc.参数相近
原型号
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Texas Instruments
- TCA6408APWRTexas Instruments直接替代候选
原型号
查看详情 · 2 条候选TCA6408PWR
Texas Instruments
- TCA6408APWRTexas Instruments直接替代候选
原型号
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Texas Instruments
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- PCA6408APW,118NXP USA Inc.相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A64
MACOM
RF Amplifier 10-1200MHz NF 3.0dB Gain 26.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier15KPA64A
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 78.3 V、工作电压 64 V、钳位电压 104.2 V、峰值脉冲电流（Ipp） 144.9 A，采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors15KPA64CA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 78.3 V、工作电压 64 V、钳位电压 104.2 V、峰值脉冲电流（Ipp） 144.9 A，采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors23A640-I/P
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM23A640-I/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM23A640-I/ST
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM23A640T-I/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM23A640T-I/ST
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM24AA64-E/MS
Microchip Technology
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM24AA64-E/P
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM