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技术资料参考
芯片技术资料
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A61
MACOM
RF Amplifier 2.0-6.0GHZ NF 3.2dB Gain 7.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierA611
MACOM
RF Amplifier 5-700NHz NF 3.2 dB Gain 15.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier5P49V5901A616NI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A616NI8
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A616NLGI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A618NI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A618NI8
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A618NLGI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsANV31A61ASC66 R
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A61ASC66 T
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAM