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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FMMTA56TA	Diodes Incorporated	MMBTA56-7-F	2021-03-15	查看资料
FMMTA56TA-79	Diodes Incorporated	MMBTA56-7-F	2021-03-15	查看资料
LA5693MD-AH	onsemi	TPS7XXX	2020-09-29	查看资料
LA5693MC-AH	onsemi	LA5693MD-AH		查看资料
OPA561	Texas Instruments	OPA564		查看资料
SA56004AD,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料
SA56004CD,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料
SA56004CDP,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

22 个原型号

原型号

93AA56-I/P

Microchip Technology

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93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号

原型号

93AA56AT-I/ST

Microchip Technology

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93AA56A-I/STMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA56B-I/SN

Microchip Technology

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93AA56BT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA56C-I/MS

Microchip Technology

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93AA56CT-I/MSMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93C56BT-I/MS

Microchip Technology

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93AA56BT-I/MSMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56A-I/P

Microchip Technology

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93AA56A-I/PMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56A/ST

Microchip Technology

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93AA56A-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56B/ST

Microchip Technology

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93AA56B-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

AT93C56-10SI-2.7

Microchip Technology

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93AA56C-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

AT93C56-10TI-2.7

Microchip Technology

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93AA56C-I/STMicrochip Technology直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

168 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A56

MACOM

RF Amplifier 5-400MHz NF 5.5dB Gain 26.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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93AA56-I/P

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA56-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA56/P

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA56/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA56A-I/MS

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA56A-I/P

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA56A-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA56A-I/ST

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA56AT-I/MC

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 DFN-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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