原型号
查看详情 · 7 条候选71421LA20JG
Renesas Electronics Corporation
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- 71321SA55JGRenesas Electronics Corporation相似型号
搜索结果
原厂资料
15 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| 7140LA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA100CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA70CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA55C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA55C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| ATA5577M133SC-DDB | Microchip |
| 2021-10-07 | 查看资料 |
| FSA551UCX | onsemi |
| 2021-10-01 | 查看资料 |
| NE5534ADR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| NE5534DR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| BCW89 | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Lexar Enterprise
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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Nisshinbo Micro Devices Inc.
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A55
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 5.0dB Gain 14.7dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier5P49V5901A558NI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A558NI8
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A558NLGI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products6116LA55DB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116LA55TDB
IDT
主要参数包括高度 3.56 mm、长度 32.51 mm、宽度 7.62 mm、型号别名 6116 IDT6116LA55TDB，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116SA55DB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116SA55TDB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130LA55C
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130LA55CB
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM