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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A53
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 3.0dB Gain 15.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierA531
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 2.0dB Gain 31.7dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAM62L31BEGHAANBR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括数据 RAM 容量 160 kB、定时器／计数器数 6 个定时器、接口类型 SPI, I2C, PWM、存储器类型 LPDDR4, DDR4、内核 Arm Cortex-A53、内核数 2 Core，采用 FCCSP-373 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM62L31BOGHAANBR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括数据 RAM 容量 160 kB、输入／输出数 133 个输入／输出、定时器／计数器数 6 个定时器、接口类型 I2C, SPI、存储器类型 DDR4, LPDDR4、内核 Arm Cortex-A53，采用 FCCSP-373 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM62L32BEGHAANBR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括定时器／计数器数 6 个定时器、接口类型 SPI, I2C, PWM、内核 Arm Cortex-A53、内核数 2 Core、数据总线宽度 64 位、一级指令缓存 32 kB，采用 FCCSP-373 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM62L32BOGHAANBR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.25 GHz、数据 RAM 容量 160 kB、输入／输出数 133、定时器／计数器数 6 个定时器、接口类型 SPI, I2C, PWM、存储器类型 LPDDR4, DDR4，采用 FCCSP-373 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM62L32BOGHIANBR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括数据 RAM 容量 160 kB、输入／输出数 133 个输入／输出、定时器／计数器数 6 个定时器、接口类型 I2C, SPI、存储器类型 DDR4, LPDDR4、内核 Arm Cortex-A53，采用 FCCSP-373 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM62P52CVMHIAMHR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.4 GHz、数据 RAM 容量 64 kB, 512 kB、输入／输出数 158 个输入／输出、定时器／计数器数 14、接口类型 I2C, SPI, UART、指令类型 Fixed/Floating Point，采用 FCBGA-466 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM62P54CVMHIAMHR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.4 GHz、数据 RAM 容量 64 kB, 512 kB、输入／输出数 158 个输入／输出、定时器／计数器数 14、接口类型 I2C, SPI, UART、指令类型 Fixed/Floating Point，采用 FCBGA-466 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM6411BKCGHAALV
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括湿敏性 是，采用 FCBGA-441 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU